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Drogaggio di nanostrutture di Si tramite impiantazione ionica /

by Tomasello, Mario Vincenzo, (Tommy) [aut]; Grimaldi, Maria Grazia [ths].
Material type: materialTypeLabelBookPublisher: Catania : Scuola Superiore di Catania, 2009Description: 84 p. : ill. ; 30 cm.Subject(s): @IBM | Nanotechnology | Material science | Devices | Silicon | Arsenide
Contents:
Miniaturizzazione dei dispositivi elettronici : Introduzione, Drogaggio dei semiconduttori e ruolo dell'Arsenico, Scopo della tesi : drogaggio dei sistemi a bassa dimensionalità, Riferimenti bibliografici. Tecniche sperimentali per la fabbricazione dei campioni : Deposizione dei campioni mediante sputtering, Preparazione dei campioni, Riferimenti bibliografici. Analisi sperimentali e risultati : Analisi dei campioni appena depositati e impiantati, Analisi dei campioni trattati termicamente. Discussione dei dati sperimentali e modelli teorici : Diffusione standard dell'As nel campione 145. Segregazione dell'As nel campione 265. Riferimenti bibliografici. Conclusioni. Appendice : Spettrometria di ioni retrodiffusi alla Rutherford. Riferimenti bibliografici.
Dissertation note: Tesi di diploma di 1° livello per la Classe delle Scienze Sperimentali Diploma di 1° livello Scuola Superiore di Catania, Catania, Italy 2009 A.A. 2007/2008 Abstract: <Abstract.>
List(s) this item appears in: Tesi di Laurea, Diploma, Dottorato, Master
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Location Call number Copy number Status Date due
Sala B : Armadio Tesi THS_2009 620.5 T6556 (Browse shelf) 1 Available
Sala B : Armadio Tesi THS_2009 620.5 T6556 (Browse shelf) 2 Available

Tesi di diploma di 1° livello per la Classe delle Scienze Sperimentali Diploma di 1° livello Scuola Superiore di Catania, Catania, Italy 2009 A.A. 2007/2008

Includes bibliographical references (22 p. ; 37 p. ; 75 p. ; 84 p.) and index.

Miniaturizzazione dei dispositivi elettronici : Introduzione, Drogaggio dei semiconduttori e ruolo dell'Arsenico, Scopo della tesi : drogaggio dei sistemi a bassa dimensionalità, Riferimenti bibliografici. Tecniche sperimentali per la fabbricazione dei campioni : Deposizione dei campioni mediante sputtering, Preparazione dei campioni, Riferimenti bibliografici. Analisi sperimentali e risultati : Analisi dei campioni appena depositati e impiantati, Analisi dei campioni trattati termicamente. Discussione dei dati sperimentali e modelli teorici : Diffusione standard dell'As nel campione 145. Segregazione dell'As nel campione 265. Riferimenti bibliografici. Conclusioni. Appendice : Spettrometria di ioni retrodiffusi alla Rutherford. Riferimenti bibliografici.

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